光电二极管以及具有该光电二极管的光电IC

摘要

本发明提供一种光电二极管和光电IC。光电二极管具有：支撑衬底；形成在该支撑衬底上的绝缘层；硅半导体层，形成在绝缘层上，具有元件形成区域和元件隔离区域；形成于该元件隔离区域的元件隔离层；P型高浓度扩散层，是在元件形成区域，高浓度扩散P型杂质而形成的；N型高浓度扩散层，是在元件形成区域，与P型高浓度扩散层具有间隔地高浓度扩散N型杂质而形成的；低浓度扩散层，是在元件形成区域，低浓度扩散与P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的任意一方相同型的杂质而形成的；以及硅化物层，是在P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的上部，分别与低浓度扩散层和P型高浓度扩散层的边界、以及低浓度扩散层和N型高浓度扩散层的边界具有间隔地形成的。