公开/公告号CN101147251B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN200680009580.4
申请日2006-03-21
分类号
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人陈源
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:05:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/74 授权公告日:20101208 终止日期:20110321 申请日:20060321
专利权的终止
2010-12-08
授权
授权
2008-05-21
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-03-19
公开
公开
机译: 功率半导体器件高压二极管,在过渡区具有p型过渡掺杂区,在器件或器件一部分的瞬态掺杂区中进行掺杂,而在器件表面附近的区域中进行掺杂
机译: 在半导体本体和半导体器件中制备掩埋的n型掺杂半导体区的工艺
机译: 用于半导体器件的穿通趋势减小方法,包括形成与另一掺杂区相邻的掺杂区,该掺杂区例如具有掺杂剂。锑,其中掺杂区彼此电隔离