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薄膜晶体管和有源矩阵液晶显示器件

摘要

本发明公开了一种防止由于进入形成一沟道的半导体层的入射光引起的漏电流的薄膜晶体管,其中一绝缘层形成在源电极或漏电极中之一与半导体层之间,超出该TFT的源电极和漏电极中至少一个电极覆盖住半导体层的所有边缘一段距离,该距离大于空穴-电子复合距离。

著录项

  • 公开/公告号CN1031373C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1996-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN93105682.9

  • 发明设计人 吉田俊彦;渥美正和;松本健;

    申请日1993-05-07

  • 分类号H01L29/772;H01L29/78;G02F1/136;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王以平

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:27

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