法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/14 授权公告日:20101117 终止日期:20130306 申请日:20080306
专利权的终止
2010-11-17
授权
授权
2009-12-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-08-13
公开
公开
机译: 化学镀镍浴,用于制造掺杂硅中半导体本体的接触表面表面积
机译: 化学镀镍浴,用于制造掺杂硅中半导体本体的接触表面表面积
机译: 化学镀镍,用于在半导体的掺杂表面区域上形成接触面以及由硅制成的螺旋形导向体