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具有隔离二极管元件的ESD保护电路及其方法

摘要

ESD保护电路(20)包括ESD器件(24)和隔离二极管元件(30)。ESD器件包括漏-源结隔离ESD晶体管(26,28)。隔离二极管元件与ESD器件串联地耦合,并被配置用于向需要ESD保护的晶体管器件(22)提供ESD保护。响应被保护的晶体管器件的栅上的-Vgs条件,被串联地耦合的隔离二极管元件在隔离二极管元件的击穿条件之前阻止ESD晶体管的漏-源结的正向偏置。此外,响应足以引起被保护的晶体管器件损坏的ESD事件,被串联地耦合的隔离二极管元件许可击穿条件的发生。另外,ESD保护电路既可以运行在被保护的器件的正常运行的极性下,又可以运行在除了被保护器件的正常运行下之外的相反极性下。

著录项

  • 公开/公告号CN101416318B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 飞思卡尔半导体公司;

    申请/专利号CN200780012308.6

  • 申请日2007-03-29

  • 分类号

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘光明

  • 地址 美国得克萨斯

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-05

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/72 变更前: 变更后: 申请日:20070329

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-10-20

    授权

    授权

  • 2010-10-20

    授权

    授权

  • 2009-06-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-22

    公开

    公开

  • 2009-04-22

    公开

    公开

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