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具有IGBT单元和二极管单元的半导体器件及其设计方法

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一种半导体器件包括：半导体衬底；IGBT单元；以及二极管单元。所述衬底包括第一表面上的第一层、相邻地设置在衬底的第二表面上的第二和第三层、以及夹在第一层与第二和第三层之间的第四层。第一层提供IGBT单元和二极管单元的漂移层。第二层提供IGBT单元的集电极层。第三层提供二极管单元的一个电极连接层。第一层的电阻率ρ

著录项

公开/公告号CN101322248B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-29

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社电装;
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申请/专利号CN200780000474.4
发明设计人户仓规仁;都筑幸夫;河野宪司;
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申请日2007-03-20
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人王英
地址日本爱知县
入库时间 2022-08-23 09:05:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-29

授权

授权
2009-02-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-12-10

公开

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