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具有接地写位线和电隔离读位线的MRAM体系结构

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磁阻随机访问存储器(MRAM)阵列(200)的每个存储器单元(260，262，266，268)具有磁隧道结(MTJ)和被连接到所述MTJ的晶体管(261)。由沿着所述阵列的行和列的写线(220，232)发生写。一组写线(232，236)被连接到所述MTJ的没有被连接到所述晶体管的端部。从而这些写线接近所述MTJ，并且因此具有到所述MTJ的良好的磁耦合，这对保持写电流为低是重要的。这些写线在一端被驱动器(240，252)驱动。另一方面感知发生在被连接到没有被连接到所述MTJ的存储器单元的晶体管的端部的读位线(222)上。通过使得读出放大器(270)在与写驱动器不同的线上，感知没有被写驱动器(240，252)的电容减慢。

著录项

公开/公告号CN1735942B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人爱沃斯宾技术公司;
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申请/专利号CN200480002158.7
发明设计人约瑟夫·J·纳哈斯;
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申请日2004-01-16
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人李涛
地址美国亚利桑那州
入库时间 2022-08-23 09:04:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/00 授权公告日:20100609 终止日期:20160116 申请日:20040116

专利权的终止
2010-06-09

授权

授权
2009-06-10

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090508 申请日:20040116

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2006-04-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-15

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 具有接地写位线和电隔离读位线的MRAM体系结构 [P] . 中国专利： CN1735942B . 2010.06.09
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3. MRAM architecture having a grounded write bit line and an electrically isolated read bit line [P] . 日本专利： JP2006516789A . 2006-07-06

机译：具有接地的写位线和电隔离的读位线的MRAM架构
4. MRAM architecture with a grounded write bit line and electrically isolated read bit line [P] . 美国专利： US6714442B1 . 2004-03-30

机译：具有接地写位线和电隔离读位线的MRAM架构
5. MRAM ARCHITECTURE WITH A GROUNDED WRITE BIT LINE AND ELECTRICALLY ISOLATED READ BIT LINE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1588372B1 . 2007-08-08

机译：具有接地写入位线和电气隔离的读取位线的MRAM体系结构