将闪存转换为只读存储器ROM的方法及其半导体器件

摘要

一种用于将第一半导体器件上的闪存单元转换成第二半导体器件上的ROM存储器单元的方法，该第一和第二半导体器件每一个都设置在半导体衬底上且都包括相同的器件部分和相同的布线方案，布线方案用于将器件部分分别连接至闪存单元和ROM存储单元；闪存单元由非易失性存储技术制得，并且包括存取晶体管和浮置晶体管，该浮置晶体管包括浮置栅极以及控制栅极；ROM存储器单元由基线技术制得，并且包括单栅极晶体管，所述方法包括对基线掩模技术中使用的至少一个基线掩模的布局进行处理；该处理包括：将闪存单元的布局并入所述至少一个基线掩模的布局中；以及通过在所述至少一个基线掩模中消除来自闪存单元的布局的浮置晶体管的布局，并通过将闪存单元的存取晶体管的布局指定为ROM存储器单元的单栅极晶体管的布局，将闪存单元的布局转换为一个ROM存储器单元的布局。