公开/公告号CN101552203B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-07-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200810103227.3
申请日2008-04-02
分类号H01L21/335(20060101);H01L21/368(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:04:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/335 授权公告日:20100721 终止日期:20190402 申请日:20080402
专利权的终止
2013-05-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/335 变更前: 变更后: 登记生效日:20130416 申请日:20080402
专利申请权、专利权的转移
2013-05-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/335 变更前: 变更后: 登记生效日:20130416 申请日:20080402
专利申请权、专利权的转移
2010-07-21
授权
授权
2010-07-21
授权
授权
2009-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-07
公开
公开
2009-10-07
公开
公开
查看全部
机译: 基于ZnO纳米线的场效应晶体管制成的气体传感器
机译: 基于ZnO纳米线的场效应晶体管制成的气体传感器
机译: 具有掺杂的Zno纳米线的场效应晶体管及其制造方法