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隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件,以及控制程序和计算机可读取的存储介质

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摘要

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

著录项

公开/公告号CN101095224B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-16

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN200580045366.X
发明设计人盐泽俊彦;古井真悟;小林岳志;北川淳一;
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申请日2005-12-22
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本国东京都
入库时间 2022-08-23 09:04:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-02-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8247 授权公告日:20100616 终止日期:20131222 申请日:20051222

专利权的终止
2010-06-16

授权

授权
2008-02-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-12-26

公开

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