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一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法

摘要

本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法。按化学式(Am-1BmO3m+1)2-(Bi2O2)2+摩尔比A∶B∶Bi=m-1∶m∶2计算、称取原材料,其中A为适合于12配位的一价、二价、三价或四价金属离子,B为适合于八面体配位的三价、四价、五价或六价金属离子;经过混合、预合成、粉碎、成型、烧结等工序制备。烧结工艺为:以2~5℃/min的升温速率升温至1100~1250℃,在1~5min内将温度迅速降低50~150℃,在950~1150℃低温保温5~20hr,以3~7℃/min的速度降温至500℃后,随炉自然冷却。采用本发明可以获得细晶、致密的铋层结构压电铁电陶瓷材料。

著录项

  • 公开/公告号CN101186493B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN200710031853.1

  • 发明设计人 何新华;郑敏贵;胡星;

    申请日2007-11-30

  • 分类号C04B35/453(20060101);C04B35/622(20060101);H01L41/187(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人李卫东

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/453 授权公告日:20100519 终止日期:20121130 申请日:20071130

    专利权的终止

  • 2010-05-19

    授权

    授权

  • 2008-07-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-28

    公开

    公开

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