公开/公告号CN115111555B
专利类型发明专利
公开/公告日2023.09.01
原文格式PDF
申请/专利权人 崔文勃;
申请/专利号CN202110283312.8
申请日2021.03.17
分类号F21S9/03(2006.01);F21V23/00(2015.01);F24F13/15(2006.01);E04B1/78(2006.01);F21Y115/10(2016.01);
代理机构吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216;
代理人纪尚
地址 132000 吉林省吉林市丰满区前二道乡金丰村吉林市东北生态农业发展有限责任公司
入库时间 2023-10-16 19:40:03
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机译: 在光伏太阳能电池的半导体层中产生end赋沟道的方法,包括通过局部加热作用将掺杂剂插入半导体层中以产生end赋区
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