公开/公告号CN1963671B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-12
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申请/专利权人 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN200610145216.2
发明设计人 周伟峰;
申请日2006-11-17
分类号G03F7/16(20060101);G02F1/1333(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人刘芳
地址 100176 北京经济技术开发区西环中路8号
入库时间 2022-08-23 09:04:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-05-12
授权
授权
2010-05-12
授权
授权
2007-11-21
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-11-21
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 登记生效日:20071019 变更前: 变更后: 申请日:20061117
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-11-21
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 登记生效日:20071019
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-11-21
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20071019 申请日:20061117
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-07-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-05-16
公开
公开
2007-05-16
公开
公开
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机译: 用狭缝扫描法涂覆光刻胶的方法,空白膜具有用该方法涂覆的光刻胶膜并由相同的方法制造
机译: 用狭缝扫描法涂覆光刻胶的方法,空白膜具有用该方法涂覆的光刻胶膜并由相同的方法制造
机译: 涂覆的底物,多层光刻胶系统的光刻胶浮雕图像的形成方法,包含涂覆的底物和底层成分的产品可防止或阻止不希望的辐射反射到电阻层的后表面