用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层

摘要

本发明涉及一种用于电致发光显示器的低焙烧温度的复合厚膜介电层。该复合厚膜介电层包括：(a)厚膜组合物的下部区域层，它包括：铌镁酸铅(PMN)、铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、钛酸铅、钛酸钡和氧化铅中的一种或多种；含有氧化铅、氧化硼以及二氧化硅的玻璃粉组合物；(b)上部区域，它包括锆钛酸铅(PZT)和/或钛酸钡的至少一层，以及(c)含有(a)和(b)复合层的中间复合区域。