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一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法

摘要

一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的方法,涉及一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层的工艺方法。目的是解决在采用常用的磁控溅射方法很难实现碳化硅涂层与钴基高温合金之间良好结合的问题。实现本发明方法包括的步骤:一、将钴基高温合金用氢氟酸清洗、丙酮溶液超声波清洗、酒精溶液超声波清洗和去离子水清洗;二、将处理后的钴基高温合金送入磁控溅射真空仓内,并抽真空,对钴基高温合金加热并保温;三、将仓内通入Ar气,施加脉冲负偏压对钴基高温合金表面反溅射;四:溅射功率启辉,对靶材表面预溅射;五、钴基高温合金表面进行正式溅射,沉积碳化硅高辐射涂层;六、关闭所有电源,待仓内温度降至室温,完成沉积。

著录项

  • 公开/公告号CN100575543C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN200810137045.8

  • 发明设计人 朱嘉琦;祝元坤;曹世成;

    申请日2008-09-02

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/54(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人牟永林

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20091230 终止日期:20100902 申请日:20080902

    专利权的终止

  • 2009-12-30

    授权

    授权

  • 2009-03-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-14

    公开

    公开

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