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公开/公告号CN100576361C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-30
原文格式PDF
申请/专利权人 北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所;
申请/专利号CN200810112419.0
发明设计人 陈雷;张帆;文治平;周涛;张志权;李学武;王勇;储鹏;张彦龙;孙华波;刘增荣;
申请日2008-05-23
分类号G11C29/12(20060101);
代理机构11009 中国航天科技专利中心;
代理人安丽
地址 100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号
入库时间 2022-08-23 09:03:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-30
授权
2008-12-10
实质审查的生效
2008-10-15
公开
机译: 双端口SRAM存储器,用于FPGA集成电路的运行时
机译: 具有双存储器接口的双端口存储器设备,存储器设备以及操作双端口存储器设备的方法
机译:用于嵌入式单端口存储器和双端口存储器的灵活的可编程存储器BIST
机译:一种有效的双端口存储器测试和诊断算法
机译:SARAM(顺序存取和随机存取存储器),一种新型的双端口存储器,用于现在和以后的通信
机译:CoRAM:一种用于基于FPGA的计算的结构内存储器架构。
机译:一种新颖的单晶体管动态随机存取存储器(1T DRAM)具有部分插入的宽带隙双壁垒适用于高温应用
机译:基于双端口存储器的FpGa高端实现
机译:FasTBUs双端口存储器和显示诊断模块