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将熔融硅组合物渗入多孔基体内的方法

摘要

许多基体(10)与作为金属基组合物源的层(12)交替并互相接触地放置,层(12)的每一层包含有由金属基组合物形成的主相和适于在组合物处于熔融状态时形成贮留和引液该金属基组合物的结构的次相。把该批料加热到该金属基组合物熔点以上的温度,以便熔融状态的该金属基组合物能从每一个源穿过与该源邻接的基体或各个基体的邻接表面迁移向基体内部。本发明尤其用于把一种硅基组合物渗入到高温结构复合材料内,特别是一种要硅化的碳-碳复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1068573C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2001-07-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 航空发动机的结构和研究公司;

    申请/专利号CN96199125.9

  • 发明设计人 J·雷伊;M·拉克萨古;B·伯纳德;

    申请日1996-10-14

  • 分类号C04B35/573;C04B41/50;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人龙传红

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/573 授权公告日:20010718 终止日期:20131014 申请日:19961014

    专利权的终止

  • 2001-07-18

    授权

    授权

  • 1999-02-03

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-01-20

    公开

    公开

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