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使用阳极氧化工艺制造的具有三极管结构的电场发射器件及其制造方法

摘要

通过使用阳极氧化工艺来制造一种具有三极管结构的电场发射器件。该器件包括支撑衬底、用作该器件的阴极的底部电极层、具有多个第一亚微米孔的栅极绝缘层、具有连接到第一亚微米孔的多个第二亚微米孔的栅电极层、具有连接到第二亚微米孔的多个第三亚微米孔的阳极绝缘层、用作该器件阳极并用于密闭地密封该器件的顶部电极层、以及在第一亚微米孔中形成的多个发射器。发射器形成为与该器件的电极尽可能地紧密接触,这导致降低器件的驱动电压。

著录项

  • 公开/公告号CN100541700C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 学校法人浦项工科大学校;

    申请/专利号CN03823411.4

  • 发明设计人 李建弘;黄瑄珪;郑守桓;李应周;

    申请日2003-07-30

  • 分类号H01J1/30(20060101);H01J9/02(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 韩国庆尚北道浦项市

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/30 授权公告日:20090916 终止日期:20140730 申请日:20030730

    专利权的终止

  • 2009-09-16

    授权

    授权

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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