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一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器

摘要

本发明公开了一种磁性随机存储器存储单元及磁性随机存储器,存储单元包括层叠设置的参考层、势垒层、第一自由层,还包括第二自由层,以及其下的垂直磁耦合层和其上的磁阻尼阻挡层,第二自由层中的磁化矢量始终垂直于第一自由层,并与第一自由层中的磁化矢量平行;垂直磁耦合层用于实现第一自由层与第二自由层的强磁性耦合,并提供额外的垂直界面各项异性来源;磁阻尼阻挡层提供额外的各向异性来源,并同时减少膜层的磁阻尼系数。本发明中额外的第二自由层的加入,并不会影响TMR,增加了自由层的厚度,降低磁阻尼系数,增加热稳定性因子,而临界写电流并不会增加。

著录项

  • 公开/公告号CN111613720B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.09.09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海磁宇信息科技有限公司;

    申请/专利号CN201910138993.1

  • 发明设计人 张云森;陈峻;郭一民;肖荣福;

    申请日2019.02.25

  • 分类号H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;G11C11/16;

  • 代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人于晓菁

  • 地址 201815 上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层

  • 入库时间 2022-09-26 23:19:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-09

    授权

    发明专利权授予

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