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超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统

摘要

本发明涉及一种超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统,用于在平面基质上制备氧化物和硫化物半导体薄膜。该系统由雾化、沉积两大部分构成。其中雾化部分有载气源、储液罐、雾化室和相应电路构成,沉积部分由密封室、喷头、加热台、电动传动组件、温控仪、真空压力表和鼓泡池组成。其中储液罐、雾化室、喷头、密封室都采用了独特的设计。该发明具有成本低,运行稳定,成膜质量好等优点,可应用于氧化物和硫化物半导体薄膜的科学研究和工业生产。

著录项

  • 公开/公告号CN100516288C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN200710018065.9

  • 发明设计人 郭烈锦;苏进展;李明涛;张西民;

    申请日2007-06-15

  • 分类号C23C16/00(20060101);C23C16/448(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈翠兰

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-22

    授权

    授权

  • 2008-01-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-11-14

    公开

    公开

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