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垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的方法及形成的磁头

摘要

本发明公开一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法以及由此形成的磁头。该原位尾屏蔽件沉积工艺取消会损坏该写磁极材料的预溅射工艺。此外,种子预备层形成在该尾屏蔽件间隙上从而消减尾屏蔽件间隙的任何不均匀性且控制由源自该尾屏蔽件种子沉积的预溅射工艺所引起的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN100505044C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立环球储存科技荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200610005722.1

  • 发明设计人 陈重元;刘音诗;

    申请日2006-01-06

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李晓舒

  • 地址 荷兰阿姆斯特丹

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/235 授权公告日:20090624 终止日期:20100208 申请日:20060106

    专利权的终止

  • 2009-06-24

    授权

    授权

  • 2006-10-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-23

    公开

    公开

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