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光电探测器及其制造方法、图像传感器

摘要

本发明提供了一种光电探测器及其制造方法、图像传感器,光电探测器包括:第一基底中形成有多个像素电路及公共电极接入件,第一基底的正面形成有多个第一接线板,第一接线板与对应的像素电路电性连接,第二基底中形成有多个像素单元及将各像素单元相互隔离的隔离墙体,隔离墙体包括导电体及位于导电体与像素单元之间的侧墙,第二基底的正面形成有多个第二接线板,第二接线板与对应的像素单元的第一端极对应连接,第二基底的背面形成有透明电极层,每个像素单元的第二端极与透明电极层连接,第二接线板与对应的第一接线板对应接合且电性连接,透明电极层通过导电体与公共电极接入件电性连接,可以使得像素单元的尺寸能够极大的降低。

著录项

  • 公开/公告号CN110634892B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯集成电路(宁波)有限公司;

    申请/专利号CN201810654716.1

  • 发明设计人 罗海龙;

    申请日2018-06-22

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈宗晶

  • 地址 315899 浙江省宁波市四明山路700号9楼

  • 入库时间 2022-08-23 13:07:08

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