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槽沟MOSFET技术在直流－直流变换器中的应用

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摘要

槽沟型电源半导体装置，包括有一个凹槽端接结构(15)。

公开/公告号CN100479187C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-15

原文格式PDF
申请/专利权人国际整流器有限公司;
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申请/专利号CN200480002594.4
发明设计人林·马;亚当·阿玛丽;悉达多·凯耶沃特;阿什塔·迈克丹尼;唐纳德·何;娜瑞雪·坦帕;瑞图·索德黑;凯丽·斯伯林;丹尼尔·金泽;
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申请日2004-01-28
分类号H01L29/76(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人衷诚宣
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:02:20

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/76 授权公告日:20090415 终止日期:20120128 申请日:20040128

专利权的终止
2009-04-15

授权

授权
2006-04-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-03-01

公开

公开

1. 槽沟MOSFET技术在直流－直流变换器中的应用 [P] . 中国专利： CN1742377A . 2006-03-01
2. HYBRID CONTROL OF RESONANT CONVERTER FOR DC GRID APPLICATIONS [P] . IN201621001282A . 2016-02-19

机译：直流电网应用中的谐振变换器的混合控制
3. Direct current-direct current converter for auto radio in motor vehicle, has polarization unit intercalated between control unit and MOSFET to fix voltage on MOSFET gate to maintain MOSFET in passing state, when it is controlled in state [P] . 法国专利： FR2934439A1 . 2010-01-29

机译：用于汽车中的收音机的直流-直流转换器，具有极化单元，插在控制单元和MOSFET之间，以将MOSFET栅极上的电压固定以保持MOSFET在通过状态下的通过状态
4. HV/MV/LV DC/DC CONVERTER [P] . 美国专利： US2022077789A1 . 2022-03-10

机译：高压/中压/低压直流/直流变换器