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公开/公告号CN100470288C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-18
原文格式PDF
申请/专利权人 阿尔卡特公司;
申请/专利号CN200610110661.5
发明设计人 莫昂·阿舒什;罗曼·布勒诺;
申请日2006-08-07
分类号G02B6/42(20060101);G02B6/10(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 法国巴黎市
入库时间 2022-08-23 09:02:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-18
授权
2007-05-30
实质审查的生效
2007-04-04
公开
机译: 集成光电器件,包括半导体光放大器和光电二极管
机译: 集成器件,包括半导体光放大器a和光电二极管。
机译:半导体光放大器和具有低偏振相关损耗的高速光电二极管的单片集成
机译:使用不对称双波导技术的半导体光放大器和高带宽p-i-n光电二极管的单片集成
机译:用于光电集成电路器件的互补金属氧化物半导体兼容的背面照明光电二极管
机译:超低功率单片集成InGaAs / GaAs光电传输装置,包括调制障光电二极管和量子点微胶凝LED
机译:有机光电半导体器件的研究:阳极表面蚀刻,在新颖的集成结构中的应用以及对光电器件中光电流特性的分析。
机译:石墨烯/多晶硅硅光电二极管及其在光电二极管-氧化物-半导体场效应晶体管中的集成
机译:门控盖革模式雪崩光电二极管像素,集成了读出电子器件,可实现低噪声光子检测
机译:用于视频信号的1 Km范围光链路,包括用于雪崩光电二极管的简单aGC和温度补偿电路