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一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置

摘要

本申请公开了一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置。该建模方法和装置包括:将所述层间介质层研磨后的终止表面形貌融入金属栅建模过程,建立金属栅的化学机械研磨工艺仿真模型。如此,该建模方法考虑了高k金属栅器件的下层结构(即层间介质层)的表面形貌对上层结构(即金属栅)表面形貌的影响,从而更加准确可靠地模拟高k金属栅的化学机械研磨工艺,因此,该建模方法考虑考了高k金属栅的表面形貌的叠层效应,由该建模方法得出的高k金属栅的化学机械研磨工艺的仿真模型能够更为准确地反映高k金属栅化学机械研磨的真实过程,能够更为准确地模拟芯片表面形貌的实时变化以及图形依赖的表面缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN108875098B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201710325974.0

  • 发明设计人 徐勤志;陈岚;孙旭;

    申请日2017-05-10

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F30/30(20200101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵秀芹;王宝筠

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

  • 入库时间 2022-08-23 12:54:22

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