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使用变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法

摘要

本发明是在双稳态多谐振荡器电路的第一、第二存储节点上通过控制用晶体管连接第一、第二变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路中,在存储步骤中在把第一和第二变阻元件的双方变成低电阻后,在第一和第二变阻元件中,仍使连接在存储“0”的存储节点上的变阻元件保持在低电阻,仅把连接在存储“1”的存储节点上的变阻元件变成高电阻,在复检步骤中顺序进行在连接于高电阻的变阻元件的存储节点上存储“1”,在连接于低电阻的变阻元件的存储节点上存储“0”的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法。

著录项

  • 公开/公告号CN100481259C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN200380102920.4

  • 发明设计人 丰田健治;大塚隆;

    申请日2003-10-29

  • 分类号G11C13/00(20060101);H01L27/10(20060101);G11C11/40(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 13/00 授权公告日:20090422 终止日期:20101029 申请日:20031029

    专利权的终止

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2006-02-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-21

    公开

    公开

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