具有金属和硅化物控制栅极的三维存储器装置

摘要

在基板上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。可以可选地将分隔体绝缘体结构形成为穿过交替堆叠体。将存储器开口形成为穿过交替堆叠体，并且对绝缘层有选择性地移除牺牲材料层。通过至少一种导电材料的沉积，在横向凹陷中形成导电层。通过至少沉积半导体材料并诱发半导体材料与导电层和/或牺牲金属层材料的反应，将金属‑半导体合金区域添附于导电层。可以将存储器堆叠体结构形成在存储器开口中且直接在导电层的金属‑半导体合金区域上。