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公开/公告号CN109819662B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 JX金属株式会社;
申请/专利号CN201880003684.7
发明设计人 清水正义;岩渊靖幸;增田爱美;
申请日2018-08-16
分类号C23C14/34(20060101);C23C14/14(20060101);G11B5/64(20060101);G11B5/851(20060101);H01F41/18(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:51:08
机译: 无卤阻燃环氧树脂组合物,用于无卤积层多层板,预浸料,覆铜层压板,印刷线路板,铜树脂膜,载体树脂膜和积层层压层压板和积层的阻燃环氧树脂组合物板
机译: 用于磁记录介质的软磁衬层膜,用于磁记录介质的软磁衬层膜,溅射靶材的制造方法以及用于磁记录介质的软磁衬层膜
机译: 半透明硬质基板积层体的制造方法及半透明硬质基板积层装置
机译:SrFe_(12)O_(19)-BiFeO_3层积膜的形成及其评价
机译:Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4积层膜の电子捕获特性
机译:Si{sub}3N{sub}4/Si-rich Nitride (SRN)/Si{sub}3N{sub}4积层膜の电子捕获特性
机译:使用新型干法蚀刻技术在低CTE积层膜中制造超细通孔
机译:推进加利福尼亚州的太阳辐照度/海洋层平积层预报。
机译:通过过滤阴极真空电弧合成的超薄无定形碳膜用作热辅助磁记录头的保护层
机译:射频磁控溅镀透明导电膜AZO/AgPd/AZO复层薄膜特性之研究
机译:CCN光谱测量作为积层机制的主动示踪剂