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薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的阵列基板、显示面板和显示装置、及其制造方法

摘要

本申请公开了一种薄膜晶体管,其包括基体衬底;位于所述基体衬底上的有源层,该有源层包括沟道区、源极接触区、和漏极接触区;位于沟道区远离基体衬底一侧的栅绝缘层;以及位于栅绝缘层远离沟道区一侧的栅极;所述栅绝缘层由硅氧烷类有机材料制成。

著录项

  • 公开/公告号CN109075204B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201680001043.9

  • 发明设计人 李伟;宋泳锡;

    申请日2016-10-12

  • 分类号H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人姜春咸;陈源

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2022-08-23 12:45:49

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