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一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法,所述氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料包括:形成在基底表面的氧化钛纳米线阵列和用于覆盖和填充所述氧化钛纳米线阵列的锆酸镧铅薄膜;所述锆酸镧铅薄膜的化学组成为Pb1‑3x/2LaxZrO3,其中0≤x≤0.12;所述氧化钛纳米线阵列由若干沿基底垂直方向生长的氧化钛纳米线组成。

著录项

  • 公开/公告号CN110746185B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201910945865.8

  • 发明设计人 王根水;蔡恒辉;闫世光;董显林;

    申请日2019-09-30

  • 分类号C04B35/48(20060101);C01G23/053(20060101);H01G11/24(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/86(20130101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲;郑优丽

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 12:43:46

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