小电流耐热性好的电可擦存储元件

摘要

本发明涉及小电流耐热性好的电可擦存储元件。该存储元件包括硫族改进的过渡金属存储材料体。存储元件在明显低的转换能级转换速度呈成数量级的高。因而本发明的存储元件的特征在于，至少两个稳定非易失可检测的局部原子和/或电子有序的结构，该结构用指定的能级电输入信号可选择可重复地存取。该存储元件的特征还在于，增加了数据保持期的热稳定性，这稳定性是制作前述存储元件的材料，用元素改进的Te-Ge-Sb半导体材料实现的。