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一种单宁酸-钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法

摘要

本发明公开了一种单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极及制备方法,属于材料科学技术和化学领域。本发明所述的制备单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的方法包括如下步骤:通过水热合成法将NiO薄膜沉积到FTO导电玻璃上、通过空气热氧化法制备CuO/NiO电极、采用光化学方法制备NixP/CuO/NiO电极、将NixP/CuO/NiO电极浸入CoCl2溶液10‑20min后取出,洗涤;再浸入单宁酸溶液中,调节pH为9‑10,反应0.5‑1.5h;反应结束后洗涤、干燥,得到单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极。本发明所述的单宁酸‑钴络合物修饰的NixP/CuO/NiO光电阴极的产氢效率高,可以达到1.77μmol/h以上;稳定性良好,在测试长达8000s时,该电极的光电流密度仅比初始值略有下降。

著录项

  • 公开/公告号CN112458493B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江南大学;

    申请/专利号CN202011398889.5

  • 申请日2020-12-02

  • 分类号C25B11/091(20210101);C25B1/55(20210101);C25B1/04(20210101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人彭素琴

  • 地址 214000 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

  • 入库时间 2022-08-23 12:41:07

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