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一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用,利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子,有利地破坏了其面面间的π‑π作用,有效调控能级结构,实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价,是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料,将其应用于忆阻器活性层,用于人工神经网络的功能模拟,有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。

著录项

  • 公开/公告号CN110423238B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京邮电大学;

    申请/专利号CN201910739710.9

  • 申请日2019-08-12

  • 分类号C07D487/22(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);H01L51/40(20060101);

  • 代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人孟捷

  • 地址 210000 江苏省南京市雨花台区软件大道186号

  • 入库时间 2022-08-23 12:40:19

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