用于减轻碳化硅MOSFET器件中的短沟道效应的方法和组件

摘要

本文提供了一种功率晶体管组件和减轻功率晶体管组件中的短沟道效应的方法。功率晶体管组件包括：第一半导体材料层，该第一半导体材料层由第一导电型材料形成；和硬掩模层，该硬掩模层覆盖第一层的至少一部分并且具有穿过其暴露第一层的表面的窗口。功率晶体管组件还包括：第一区，该第一区在第二导电型材料的第一半导体材料层中形成并且与窗口对准；一个或多个源极区，该一个或多个源极区在第一区内由第一导电型材料形成并且被第一区的一部分分隔开；以及第一区的延伸部，该第一区的延伸部横向地延伸穿过第一层的表面。