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公开/公告号CN111995990B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 华北电力大学;全球能源互联网研究院有限公司;
申请/专利号CN202010768399.3
发明设计人 李宝让;刘钰;邓占峰;徐桂芝;张高群;
申请日2020-07-31
分类号C09K5/12(20060101);
代理机构11392 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙);
代理人张新利;谢建玲
地址 102200 北京市昌平区回龙观北农路2号
入库时间 2022-08-23 12:36:53
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 玻璃厂由低熔点和高熔点组分制成-包括制作独立的熔体,将低熔点组分添加到其他熔体中并冷却
机译: 保护性无机和DLC涂层及其在室温或接近室温下的制备方法
机译:十六烷预熔区中接近熔点的Pippard关系
机译:低熔点碱金属熔体在接近室温的锂熔盐电池
机译:熔盐的运输研究:熔盐的质量运输和热传导
机译:一种用于牛血清多元素分析的简单样品制备方法的验证
机译:熔盐的熔点,超冷却和熔盐凝固行为。
机译:一种用于电池应用的新型室温熔盐