运用金属－硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法

摘要

一种运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法，其步骤包括：合成含苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的先驱物(metal-chalcogenide Precursor)，并将此先驱物溶于一溶剂中以制备成先驱物溶液，其中可在先驱物溶液中选择加入一硫属元素或化合物，以调整金属离子与硫系元素的摩尔比。再以特定的涂布方式将此先驱物溶液涂布于基板上，经固化处理后以形成金属-硫系元素化合物薄膜，藉此，取代目前采用的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)制作的非结晶-硅(amorphous Si)主动层薄膜方法。