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公开/公告号CN110904440B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN201911233667.5
发明设计人 雷黎;李进展;赵高扬;
申请日2019-12-05
分类号C23C18/12(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人曾庆喜
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
入库时间 2022-08-23 12:27:21
机译: FINE-钛酸锆水合物钛酸锆和钛酸锆及其制备方法
机译: 超导钇钡铜氧化物复合物具有晶界-包括在蓝宝石衬底上生长钇稳定的氧化锆,涂覆氧化镁层,构造和生长锶-钛氧化物层
机译: 相变增韧氧化锆二氧化钛稀土氧化物陶瓷,氧化锆二氧化钛-氧化钇陶瓷,氧化锆二氧化钛-二氧化铈陶瓷及其混合物
机译:铌在氧化钇稳定的氧化锆和二氧化钛掺杂的氧化钇稳定的氧化锆多晶材料中的扩散
机译:掺钇的氧化锆双晶体中单晶边界的氧扩散阻挡
机译:钛酸钇和掺Er钛酸钇纳米纤维的合成与表征
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:对不同功率水平的磷酸钛氧钾和掺钕钇铝石榴石激光器施加不同功率水平的温度评估
机译:氧化锌和氧化硼的添加对掺钇锆锆钡性能的影响氧化锌和氧化硼的添加对掺钇锆锆钡性能的影响
机译:用于涂覆导体的氧化钇稳定氧化锆缓冲层沉积的新方法(后印刷)。