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公开/公告号CN111092280B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201911273999.6
发明设计人 兰峰;张子琦;王禄炀;尹婧;杨梓强;史宗君;
申请日2019-12-12
分类号H01P1/185(20060101);H01Q3/36(20060101);
代理机构51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙);
代理人刘勋
地址 610000 四川省成都市高新区西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:27:18
机译: 基于石墨烯的结构和方法,用于微波和太赫兹频率的宽带电磁辐射吸收
机译: 基于石墨烯的微波和太赫兹频率下宽带电磁辐射吸收的结构和方法
机译: 基于液晶中磁控双折射的太赫兹移相器或延迟器
机译:宽带太赫兹脉冲的载波包络移相器
机译:一种基于分布式肖特基结构的新型可调真延迟线/移相器
机译:用于太赫兹频带的3位360°移相器的固定物理长度平面欺骗表面等离子体激元模式延迟线的设计和仿真
机译:通过差频混频产生宽带太赫兹脉冲的有损耗波导结构的建模和设计。
机译:基于杂交石墨烯 - DIRAC半型结构的双调谐宽带太赫兹吸收器
机译:用于太赫兹超导电子电路的非线性延迟线移相器