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绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法

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摘要

本发明提供了一种绝缘体上硅晶片(10)。所述SOI晶片(10)包括顶部硅层(6)，硅衬底(4)，以及氧化物绝缘层(2)，所述氧化物绝缘层(2)设置于所述晶片(10)中并在所述硅衬底(4)与所述顶部硅层(6)之间。所述氧化物绝缘层(2)具有成形的顶部表面(8a、8b、8c、8d、8e)和成形的底部表面(12e)的至少一个。本发明同时提供了用于制造此SOI晶片(10)的方法。

著录项

公开/公告号CN100466203C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-04

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200380110826.3
发明设计人 L·古拉里;
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申请日2003-12-16
分类号H01L21/331(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;刘瑞东
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:01:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/331 授权公告日:20090304 终止日期:20181216 申请日:20031216

专利权的终止
2017-12-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/331 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2017-12-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/331 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2017-12-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2017-12-08

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2009-03-04

授权

授权
2009-03-04

授权

授权
2009-03-04

授权

授权
2007-02-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-12-13

公开

公开
2006-12-13

公开

公开
2006-12-13

公开

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