一种III-V族半导体晶圆的退火方法

摘要

本发明公开了一种III‑V族半导体晶圆的退火方法，在退火过程的升温阶段，当温度升至温度范围在300℃～350℃的第一温度时，以30℃/min～50℃/min的降温速率进行时间不超过1min的降温，然后再继续升温；在退火过程的降温阶段，当温度降至温度范围在250℃～300℃的第二温度时，以40℃/min～50℃/min的升温速率，进行时间不超过1min的升温，然后再继续降温。相比现有技术，本发明可大幅降低晶圆退火制程中的破损率，从而有效提高产品良率。