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第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器

摘要

本发明公开了第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器,包含预驱动器、上拉电路与下拉电路。该预驱动器耦接于第一高电位端与低电位端之间,提供第一与第二预驱动信号。该上拉电路包含:驱动PMOS晶体管,耦接于第二高电位端与上拉电阻之间,依据该第一预驱动信号以运作,该第二高电位端之电压不大于该第一高电位端之电压;以及该上拉电阻,耦接于该驱动PMOS晶体管与输出垫之间。该下拉电路包含:驱动NMOS晶体管,耦接于该低电位端与迭接NMOS晶体管之间,依据该第二预驱动信号以运作;该迭接NMOS晶体管耦接于该驱动NMOS晶体管与下拉电阻之间,依据偏压以运作;以及该下拉电阻,耦接于该迭接NMOS晶体管与该输出垫之间。

著录项

  • 公开/公告号CN110660431B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞昱半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201810731668.1

  • 发明设计人 周格至;谷立军;

    申请日2018-07-05

  • 分类号G11C11/4096(20060101);G11C11/4094(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人梁丽超;刘彬

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 12:12:05

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