公开/公告号CN110660431B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 瑞昱半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201810731668.1
申请日2018-07-05
分类号G11C11/4096(20060101);G11C11/4094(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人梁丽超;刘彬
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 12:12:05
机译: 堆叠内存芯片的输入输出负载,内存模块和内存系统均减少,包括相同的内存
机译: 堆叠内存芯片的输入输出负载,内存模块和内存系统均减少,包括相同的内存
机译: 用于全缓冲双列直插式内存模块的内存缓冲区,具有输入/输出接口,可与内存模块进行读/写数据通信,即双倍数据速率同步动态随机存取存储器,具有数据速率