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一种生长厚纳米金刚石膜的方法

摘要

一种生长厚纳米金刚石膜的方法,属于超硬材料生长领域。它是将含有氢气、含碳气体、惰性气体的混合气体,通过内有水冷通道的进气装置进入沉积室内,喷向热丝和衬底。对热丝阵列施以相对于衬底支撑台为正电极的下偏压,以及相对于进气装置为负电压的上偏压,使衬底沉积表面成核;对于衬底支撑台为0电压或负电压的下偏压,以及相对热丝阵列施以相对于进气装置为负电压的上偏压,使衬底沉积表面金刚石膜生长。当控制两个偏压的有无、大小、间隔时,使得金刚石的成核过程和生长过程交替进行,成核工艺与生长工艺交替进行抑制晶粒长大。本发明使初始成核密度和二次成核密度增大,生长速度加快,可以生长出厚纳米金刚石膜。

著录项

  • 公开/公告号CN100447294C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN200610039086.4

  • 申请日2006-03-27

  • 分类号C23C16/27(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所;

  • 代理人阙如生

  • 地址 210016 江苏省南京市御道街29号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/27 授权公告日:20081231 终止日期:20150327 申请日:20060327

    专利权的终止

  • 2008-12-31

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-06

    公开

    公开

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