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用于电容传感器的PVT补偿的电阻偏置架构

摘要

一种用于偏置MEMS麦克风的电路,包括:耦合在第一节点与第二节点之间的第一组串联耦合的晶体管;耦合在第一节点与第二节点之间的第二组串联耦合的晶体管;以及耦合到第二节点的具有多个输出的分压器电路,第一组输出耦合到与第一组串联耦合的晶体管相关联的对应控制节点,不同于第一组输出的第二组输出耦合到与第二组串联耦合的晶体管相关联的对应控制节点,控制节点是体节点或栅极节点。

著录项

  • 公开/公告号CN109525927B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201811062612.8

  • 申请日2018-09-12

  • 分类号H04R19/04(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人郑立柱;吕世磊

  • 地址 德国诺伊比贝尔格

  • 入库时间 2022-08-23 11:51:51

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