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公开/公告号CN111090136B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201911198772.X
发明设计人 刘艳;黄炎;韩根全;郝跃;
申请日2019-11-25
分类号G02B5/00(20060101);B81B7/04(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构61100 西安文盛专利代理有限公司;
代理人佘文英
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:41:32
机译: 金属纳米狭缝阵列衍射光栅,用于将纳米狭缝阵列结构应用于衍射光栅的金属
机译: 基于纳米金属绝缘体金属结构的磁隧道结形成方法和基于纳米金属绝缘体金属结构的磁隧道结结构(版本)
机译: /具有高容量和超耐久性能的黑磷/碳纳米管复合材料的生产方法以及包括该复合材料的电极
机译:基于结构转换的深色光栅和狭缝阵列剪裁辐射性能
机译:基于超薄变宽金属狭缝阵列的超振荡远场聚焦透镜
机译:超周期金属纳米孔阵列光栅中表面等离子体激元共振的模式分裂
机译:Ag / SiO 2 inf> / Ag夹心纳米结构中超薄等离激元超吸收体的等离激元亚波长交叉金属光栅的设计与分析
机译:对微观/纳米结构的辐射特性进行严格建模,并与制造的光栅和狭缝阵列的测量结果进行比较。
机译:使用超软X射线吸收近边缘结构光谱学对机械修饰的自上而下的硅纳米线阵列进行表面深度轮廓同步加速器研究
机译:窄带吸收剂:基于金属膜上的2D光栅纳米结构的空间和光谱分辨窄带光学吸收器(先进的光学材料3/2016)
机译:研究提供金属光栅金属条与自由表面区域表面声波速度和阻抗差异的理论确定