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器件结构及其制造方法、滤波器、电子设备

摘要

本发明涉及一种器件结构及其制造方法,该器件结构包括:第一和第二基底;封装层,设置在对置的第一与第二基底之间,以限定在第一与第二基底之间的封装空间;MEMS器件,设置于第一基底和/或第二基底,且位于封装空间之内,其中:封装层包括内、外密封层,内密封层的外侧设置有在第一和第二基底之间的环形槽,环形槽对外侧开口,外密封层为金属层,其覆盖内密封层的整个外侧;且外密封层仅包括位于环形槽内的槽内部分,或者外密封层包括位于环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分,第一基底或第二基底设置有与槽内部分电连接的导电部。本发明还涉及一种滤波器和一种电子设备。

著录项

  • 公开/公告号CN111606297B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 诺思(天津)微系统有限责任公司;

    申请/专利号CN202010347888.1

  • 发明设计人 张全德;庞慰;陈士强;

    申请日2020-04-28

  • 分类号B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11651 北京金诚同达律师事务所;

  • 代理人汤雄军

  • 地址 300462 天津市滨海新区开发区西区新业五街27号

  • 入库时间 2022-08-23 11:39:21

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