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一种热辐射探测器阵列及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种热辐射探测器阵列及其制造方法,包括第一热辐射吸收层、第二热辐射吸收层和温度敏感器件,以及信号处理电路层。连接温度敏感器件的平面金属互连位于两层热辐射吸收层的下方,实现背照式结构和透射的热辐射的反射和二次吸收,显著提高热辐射吸收率和探测器性能。带有夹板结构的金属导体柱固定和支撑热辐射吸收层,提高热辐射吸收层的稳定性和强度。本发明解决了金属互连对热辐射吸收的影响以及热辐射吸收层的稳定性问题,实现热吸收面积大、可靠性高、电路全集成的三层结构的热辐射探测器阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN110044494B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910222925.3

  • 发明设计人 王喆垚;

    申请日2019-03-22

  • 分类号G01J5/20(20060101);

  • 代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人王庆龙;周永君

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 11:39:02

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