一种低温下在碳布表面快速生长碳纳米管的制备方法

摘要

本发明涉及一种低温下在碳布表面快速生长碳纳米管的制备方法。本发明的制备方法包括以下步骤：步骤1：将碳布脱浆；步骤2：将脱浆碳布氧化；步骤3：以硝酸铁和硝酸钴按照摩尔比为1：1配制催化剂乙醇溶液，溶液中金属离子的总浓度为0.05mol/L；步骤4：将步骤2得到的碳布放进步骤3配好的催化剂溶液中，浸渍10min，取出后室温晾干；步骤5：将步骤4得到的碳布放进CVD炉中，打开真空泵，将炉内压力抽至真空状态，通入氮气，调整气流使炉内气压维持在0.01MPa，以10℃/min的升温速率加热到380‑430℃，一次性通入C₂H₂、H₂，并控制N₂、C₂H₂和H₂三种气体的流量比为10：5：5L/min。使炉内压力始终保持在0.01MPa。生长10min后关闭C₂H₂、H₂，在N₂保护下冷却到室温，取出样品。