一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法

摘要

本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法，其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部，按60～80%的充满度，加入含有0～2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值在2.0～10.0之间；在黄金衬套的顶部悬挂c方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶；加热使得生长区平均温度为300～450℃，溶解区平均温度为400～500℃，压力P≤200MPa；经10～90天恒温生长，得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。