一种高阻抗的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法

摘要

本发明涉及软磁铁氧体技术领域，为解决现有抗EMI技术所存在的高频下阻抗低、磁体电阻率低及居里温度低的问题，提供了一种高阻抗的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法，所述高阻抗的贫铁锰锌铁氧体材料，其由主料和辅料制成，所述主料以摩尔百分比计由以下组分组成46.0～49.8mol％Fe₂O₃，27.2～37.0mol％MnO，17.0～23.0mol％ZnO；以主料总重量计，所述辅料由以下质量百分含量的组分组成：0.03～0.1wt%Co₂O₃，0.005～0.05wt%SnO₂，0.01～0.06wt%TiO₂。本发明的MnZn铁氧体材料在室温下磁导率μi为2500±25%，在频率f处于1MHz~500MHZ条件下磁芯在25℃～120℃温度范围内有良好的高阻抗性能。