用于避免HKMG工艺中的IL重复生长的方法

摘要

本公开内容致力于解决目前在形成了HKMG叠层之后IL中氧累积的问题。提供了一种通过在多个HK层之间形成至少一个钛(Ti)层来制造高k/金属栅极半导体器件的制造方法。还提供了一种在多个HK层之间包括至少一个TiO₂层的高k/金属栅极半导体器件。